- Pret redus

Tranzacțiile electronice sunt 100% sigure. Folosim protocolul HTTPS
Livrăm la cerere prin orice curier rapid sau de la sediu
Verificarea coletului la primire
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: WDS100T3B0E B
Marca: WESTERN DIGITAL
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitatea SSD1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4CertificariBSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCITehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell T
Referinta: CSSD-F2000GBMP600GS 3
Marca: CORSAIR
SSD CORSAIR MP600 GS Capacitate 2TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4 Viteza de scriere: pana la 4500MB/s Viteza de citire: pana la 4800MB/s Temperatura de functionare: 0-65°C Temperatura de stocare: -40-85°C Voltaj: 3.3V +/-5%
Referinta: SFYRD/4000G 3
Marca: KINGSTON
SSD Kingston Fury Renegade, 4TB, M2 PCIe 4.0 NVMe
Referinta: CT4000BX500SSD1 B
Marca: CRUCIAL
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitatea SSD4 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Sequential Read Rate540 MB/sMaximum Sequential Write
Referinta: MZQL23T8HCLS-00W07 3
Marca: SAMSUNG
SSD Samsung 3.84TB 2.5 U.2 NVMe
Referinta: SEDC600M/7680G 3
Marca: KINGSTON
SSD Kingston, DC600M, 2.5", 7680GB, SATA 3.0 (6GB/s), R/W speed:560MBs/530MBs
Referinta: LNQ100X960G-RNNNG B
Marca: LEXAR
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitatea SSD960 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Sequential
Referinta: SNV3S/4000G 3
Marca: KINGSTON
SSD Kingston, SNV3S, M2-2280, 4TB, PCI E
Referinta: AGAMMIXS70B-4T-CS 3
Marca: ADATA
SSD Adata XPG Gammix S70 BLADE, 4TB, M.2 2280, PCIe Gen3x4, NVMe
Referinta: GP-ASM2NE6100TTTD B
Marca: GIGABYTE
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe 4.0 x4 (NVMe 1.3)Tehnologia pentru memorieDDR4 SDRAMFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate750000 IOPSMaximum Random Wr